Vật liệu bán dẫn perovskite là một hợp chấtngoai hang anh, dải năng lượng của nó có thể điều chỉnh trong khoảng từ 1,2 eV đến 3,2 eV bằng cách thay đổi thành phần. Khi điều chỉnh dải năng lượng của vật liệu perovskite gần 1,68 eV, kết hợp với vật liệu silic tinh thể có dải năng lượng khoảng 1,12 eV thông qua công nghệ ghép lớp, thì pin mặt trời ghép lớp này sẽ hoạt động hiệu quả. Lớp perovskite ở trên sẽ hấp thụ các photon có bước sóng ngắn và năng lượng cao, trong khi lớp silic ở dưới sẽ hấp thụ các photon có bước sóng dài và năng lượng thấp. Việc các tế bào con có dải năng lượng khác nhau hấp thụ các bước sóng ánh sáng khác nhau sẽ giúp giảm tổn thất do sự giãn nhiệt của hạt mang điện, từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin mặt trời.

Hiệu suất lý thuyết tối đa của pin mặt trời silic đơn tinh thể là 29làm đại lý,4%, trong khi hiệu suất thực nghiệm ghi nhận được là 26,7%, còn hiệu suất trung bình của các tấm pin sản xuất hàng loạt hiện nay chỉ đạt khoảng 24,5%. Tuy nhiên, với cấu trúc pin mặt trời ghép lớp perovskite/silicon, hiệu suất lý thuyết tối đa có thể đạt tới 42,5%. Hiện nay, hiệu suất thực nghiệm đã lên tới 29,52%, vượt xa giới hạn lý thuyết của pin silic đơn tinh thể.

Hiện tạiso keo, theo kết quả kiểm định của Viện Đo lường Trung Quốc, hiệu suất ổn định đầu ra của pin mặt trời hai lớp perovskite/silicon nhỏ do Công ty YueNeng tự nghiên cứu đã đạt mức 32,44%.